Инженеры компании IBM разместили 30 млрд транзисторов на чип величиной с ноготь
По утверждению уполномоченных IBM, разработка подтверждает так называемый закон Мура. В отличие от обычного транзистора FinFET, 5-нанометровый транзистор, созданный участниками Research Alliance, имеет затвор из нескольких кремниевых «нанолистов». Над проектом трудились также профессионалы из Самсунг и GlobalFoundries. Разработка чипа заняла приблизительно два года с того момента, как IBM показала 7-нанометровый чип с 20 млрд транзисторов.
Сейчас компания объявила о намерениях уменьшить размер транзисторов до 5 нм, что даст возможность расположить дополнительные 10 млрд транзисторов на чипе того же размера. Причем работать будет он отлично, так как не менее высокая плотность при установке транзисторов на поверхности микросхемы дает возможность намного увеличить скорость обработки знаков. Сделав 10-нанометровые (используются, к примеру, в последних телефонах Samsung) и 7-нанометровые чипы, производители фактически подобрались к физическим ограничениям существующих методик.
Понятно, что кроме увеличения количества транзисторов, возросло и их качество.
Североамериканская корпорация IBM в сотрудничестве с GlobalFoundries и южнокорейской компанией Самсунг разработала процесс изготовления полупроводниковых чипов с транзисторами размером 5 нм и изготовила первые образцы чипов по новому техпроцессу. В потребительской электронике на данный момент в первую очередь используются 14-нм чипы, а такие компании, как Intel и Самсунг, смогли достигнуть 10-нм технологии.
