Samsung начала производство 16-гигабитной графической памяти GDDR6
Самсунг приступила к массовому производству первых в мире микросхем памяти типа GDDR6 емкостью 2 ГБ, которые созданы для графических ускорителей следующего поколения и систем искусственного интеллекта.
Новая технология GDDR6 основана на 10-нанометровой технологии Самсунг, имеет плотность 16 Гбит, что вдвое больше, чем у 20-нм 8-гигабитной памяти GDDR5. «Благодаря внедрению продуктов GDDR6 следующего поколения, мы укрепим свое присутствие на рынках игровых и графических карт и ответим на растущую потребность в усовершенствованной графической памяти для автомобильных и сетевых систем».
Чипы функционируют при напряжении 1,35 В, что обеспечивает на 30-35% меньшее потребление в сравнении с памятью GDDR5.
Компания обещает скорость передачи данных до 18 Гбит/с на один контакт, что в результате обеспечивает пропускную способность в 72 Гбайта/с при питании в 1,35 В.
Для производства чипов GDDR6 компания Самсунг использует техпроцесс с нормами класса 10 нм. Кроме того, новый тип памяти обеспечивает повышение производительности на 30% в сравнении с предшествующим поколением.
Немедленный запуск в производство памяти Самсунг GDDR6 сыграет решающую роль в ранних запусках графических карт и систем обновленного поколения.
Южнокорейский гигант официально анонсировал начало массового производства чипов памяти GDDR6.
Пока не ясно, когда именно продукты с GDDR6 поступят в продажу.
