Самсунг начала производство чипов памяти V-NAND 5-ого поколения
Микросхемы выпускаются по 10-нм техпроцессу.
Решения LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных до 6400 Мбит/с. Это примерно в полтора раза больше в сравнении с современными чипами LPDDR4X (4266 Мбит/с).
Самсунг представила обновленный тип оперативной памяти LPDDR5, ориентированное на следующее поколение телефонов и автомобильных систем с поддержкой 5G и AI-технологий. Новая память способна передавать до 51,2 ГБ данных за секунду. В LPDDR5 DRAM также применяется усовершенствованная и оптимизированная по скорости схема, которая проверяет и гарантирует сверхвысокую работоспособность чипа.
Для экономии энергии микросхема была запрограммирована для совместной работы с прикладным процессором и, таким образом, сокращения напряжения когда это необходимо для экономии энергии. Благодаря удвоению количества «банков» памяти в ячейках DRAM с 8 до 16, новая память может достигать намного более высокой скорости при одновременном понижении энергопотребления. Модуль также настроен так, чтобы избежать перезаписи ячеек со значениями «0». Он также имеет «глудокий спящий режим», который не менее эффективен, чем «режим ожидания» на текущем LPDDR4X DRAM. Самсунг планирует начать массовое производство линейки DRAM следующего поколения (LPDDR5, DDR5 и GDDR6) по мере поступления запросов от клиентов.
В Самсунг отмечают, что новые чипы довольно энергоэффективны. По всей видимости, ожидать новые микросхем ОЗУ дебютируют в свежих телефонах самой Самсунг, а также, вполне возможно, Apple.
