IBM уместит 30 млрд. транзисторов на чипе с ноготок
Как сообщается, эти транзисторы дозволят выпускать 5-нанометровые микросхемы. Правда, не стоит ожидать, что они сразу появятся в потребительских гаджетах. Кроме того FinFET-транзисторы отправляют электроны через три затвора, а их преемники — через 4. В ней каналы выполнены как нанопровода.
IBM отмечает, что транзисторы FinFET, очевидно, удастся уменьшить до 5 нм, однако предстоящее повышение производительности за счет уменьшения технологических норм едва ли будет очевидно — при столь тонких нормах маленькие «плавники» транзисторов не смогут проводить довольно тока. Более того, из-за возможности детальной настройки расстояния укладки «нанолистов», производители смогут точно регулировать работоспособность и энергопотребление отдельных областей кремниевых кристаллов. В теории, FinFET-транзисторы также могут быть уменьшены, однако максимум до 5 нм, то время как GAAFET — до 3 нм.
5 нм прототипы в состоянии улучшать работоспособность на 40 процентов от установленной мощности, их развитие может привести к наименьшим, не менее мощным и не менее эффективным устройствам.
Понятно, что кроме увеличения количества транзисторов, возросло и их качество.
Еще в 2015 г. компания представила тестовый 7 нм транзистор, и тестовый чип размером с ноготь вмещающий 20 млрд транзисторов.
Новый метод также в первый раз дает возможность создавать чипы литографическим оборудованием, работающим в экстремальном ультрафиолетовом спектре (EUV), что может уменьшить стоимость создания процессоров. Другими словами, на одном производстве можно будет выпускать производительный и энергоэффективный варианты одной микросхемы.
